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簡(jiǎn)要描述:高壓探針臺(tái)通過(guò)TS2000-DP,MPI提供了一個(gè)多功能且經(jīng)濟(jì)高效的探針臺(tái),半自動(dòng)|MPI 8英寸高壓探針臺(tái)適用于20°C至300°C溫度范圍內(nèi)的晶圓上高功率器件測(cè)量,測(cè)量能力高達(dá)3 kV(三軸)/ 10 kV(同軸)和600 A(脈沖)。
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半自動(dòng)|MPI 8英寸高壓探針臺(tái)簡(jiǎn)介:
探針卡和微型定位器 TS2000-DP可提供高達(dá)12倍的高壓(高達(dá)3 kV三軸或10 kV同軸)或4倍的多手指高電流,高達(dá)400 A MicroPositioners。許多單探頭,專(zhuān)用于防電弧高功率探頭卡的探頭卡座使該系統(tǒng)成為高功率設(shè)備特性測(cè)量的理想選擇。 防電弧技術(shù) 該系統(tǒng)配有ArcShield™,可防止卡盤(pán)和探針壓板之間發(fā)生任何可能的電弧。 防電弧探針卡具有在DUT周?chē)┘痈邏旱哪芰?,并且可以使用帕申定律?lái)防止焊盤(pán)之間產(chǎn)生電弧。專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的防電弧LiquidTray™只需將其放在高功率卡盤(pán)表面即可用于抑制電弧。晶圓可以安全地放置在托盤(pán)內(nèi),以浸沒(méi)在液體中進(jìn)行無(wú)電弧高壓測(cè)試。MPI卡盤(pán)設(shè)計(jì)用于300°C時(shí)高達(dá)10 kV(同軸)。 儀器集成TS2000-DP可以配置各種儀器連接套件,其中包括必要的高壓/大電流探頭和電纜附件,以優(yōu)化連接至測(cè)試儀器,例如Keysight B15005(3 kV或10 kV),包括集成的模塊選擇器或吉時(shí)利2600-PCT-XB,包括集成的8020大功率接口面板。 |
設(shè)備簡(jiǎn)介: 通過(guò)TS2000-DP,MPI提供了一個(gè)多功能且經(jīng)濟(jì)高效的探針臺(tái),適用于20°C至300°C溫度范圍內(nèi)的晶圓上高功率器件測(cè)量,測(cè)量能力高達(dá)3 kV(三軸)/ 10 kV(同軸)和600 A(脈沖)。 |
機(jī)臺(tái)特征:
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