高低溫半自動(dòng)探針臺是一種用于數(shù)學(xué)領(lǐng)域的分析儀器,為晶片、器件和材料(薄膜、納米、石墨烯、電子材料、超導(dǎo)材料、鐵電材料等)提供真空和高低溫測試條件下進(jìn)行非破壞性的電學(xué)表征和測量平臺。
在不同測試環(huán)境、不同溫度條件下可對微結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件、微電子器件及材料進(jìn)行電學(xué)特性表征測試。可以對材料或器件進(jìn)行電學(xué)特性測量、光電特性測量、參數(shù)測量、高阻測量、DC測量、RF測量和微波特性測量,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)(芯片、晶圓片、封裝器件)、MEMS、超導(dǎo)、電子學(xué)、物理學(xué)和材料學(xué)等領(lǐng)域。
高低溫半自動(dòng)探針臺在以下兩個(gè)應(yīng)用需要真空測試環(huán)境:
1、低溫測試:
因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測試時(shí),空氣中的水汽會凝結(jié)在晶圓上,會導(dǎo)致漏電過大或者探針無法接觸電而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測試前用泵抽走,并且保持整個(gè)測試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
2、高溫?zé)o氧化測試:
當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時(shí),氧化現(xiàn)象會越來越明顯,并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。過度氧化會導(dǎo)致晶圓電性誤差,物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測試前用泵抽走,并且保持整個(gè)測試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
晶圓測試過程中溫度在低溫和高溫中變換,因?yàn)闊崦浝淇s現(xiàn)象,定位好的探針與器件電間會有相對位移,這時(shí)需要針座的重新定位,SEMISHARE針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動(dòng)化針座來調(diào)整探針的位置。