一、應(yīng)用原理：
 

　　(1)探針卡(probecard)探針卡是自動測試機(jī)與待測器件(DUT)之間的接口,在電學(xué)測試中通過探針傳遞進(jìn)出wafer的電流。
 

　　(2)探針臺(prober)因此測試對于檢驗(yàn)芯片的功能性來說是一項(xiàng)非常重要的工作,硅片測試能夠分辨一個好的芯片和一個有缺陷的芯片。RDON是VDMOS在導(dǎo)通狀態(tài)下漏源之間的導(dǎo)通電阻。
 

　　二、發(fā)展背景介紹：
 

　　(1)半導(dǎo)體檢測貫穿半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝三大流程。半導(dǎo)體制造工藝十分復(fù)雜，包含成百上千道工序，每一道出錯都可能影響芯片功效。為了提高良率、控制成本，需要在重要的工序后借助半導(dǎo)體檢測設(shè)備對晶圓和芯片的質(zhì)量進(jìn)行檢測，及時將不符合規(guī)范的產(chǎn)品剔除。
 

　　(2)主要的檢測環(huán)節(jié)包括：設(shè)計(jì)驗(yàn)證、過程工藝控制檢測(PC測試)、CP測試(晶圓測試)、FT測試(成品測試)。
 

　　(3)其中設(shè)計(jì)驗(yàn)證、CP測試和FT測試可統(tǒng)稱為半導(dǎo)體測試，又稱后道測試；過程工藝控制檢測則可稱為前道檢測。過程工藝控制檢測所用的設(shè)備種類較多，半導(dǎo)體測試的主要設(shè)備是測試機(jī)、分選機(jī)和探針臺。
 

　　三、作用過程：
 

　　(1)關(guān)鍵參數(shù)測量，即對被觀測的晶圓電路上的結(jié)構(gòu)尺寸和材料特性做出的量化描述，如薄膜厚度、關(guān)鍵尺寸、刻蝕深度、表面形貌等物理性參數(shù)的量測；
 

　　(2)缺陷檢測，即在晶圓表面上或電路結(jié)構(gòu)中檢測是否出現(xiàn)異質(zhì)情況，如顆粒污染、表面劃傷、開短路等對芯片工藝性能具有不良影響的特征性結(jié)構(gòu)缺陷；
 

　　(3)其他小類型的檢測，如電阻率的測試，離子注入濃度檢測等。