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高低溫探針臺(tái)能滿足各種溫度的需求

更新時(shí)間:2022-11-17      點(diǎn)擊次數(shù):674
   高低溫探針臺(tái)主要用于材料電學(xué)表征和測(cè)量的微型桌面型電學(xué)測(cè)量臺(tái),是專為晶片、器件和材料(薄膜、納米、石墨烯、電子材料、超導(dǎo)材料、鐵電材料等)提供真空和高低溫測(cè)試條件下進(jìn)行非破壞性的電學(xué)表征和測(cè)量平臺(tái)。主要用于介電、壓電、鐵電、熱釋電、光電等材料的電學(xué)性能表征和測(cè)量,還可以在真空、氣氛環(huán)境下對(duì)材料進(jìn)行電學(xué)測(cè)量評(píng)估,是實(shí)驗(yàn)室測(cè)量薄膜材料電學(xué)材料常備工具,廣泛用于高校、科研、航天航空、軍工院所等領(lǐng)域。
  
  性能優(yōu)勢(shì):
  1、滿足各種溫度的需求:可以滿足非常高的溫度或非常低的溫度的需求,因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測(cè)試時(shí),空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上,會(huì)導(dǎo)致漏電過大而使測(cè)試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測(cè)試前用泵抽走,并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
  當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時(shí),氧化現(xiàn)象會(huì)越來越明顯,并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。過度氧化會(huì)導(dǎo)致晶圓電性誤差,物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測(cè)試前用泵抽走,并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。晶圓測(cè)試過程中溫度在低溫和高溫中變換,因?yàn)闊崦浝淇s現(xiàn)象,定位好的探針與器件間會(huì)有相對(duì)位移,這時(shí)需要針座的重新定位,針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動(dòng)化針座來調(diào)整探針的位置。
  
  2、體積小,穩(wěn)定性高:與傳統(tǒng)探針臺(tái)相比,高低溫真空探針臺(tái)的穩(wěn)定性更高,采用先進(jìn)的技術(shù)工藝,讓探針臺(tái)在工作過程中流暢性更高,平穩(wěn)性更高,從而保證每次實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性,這樣實(shí)驗(yàn)得出的結(jié)果就會(huì)更加準(zhǔn)確,對(duì)于企業(yè)快速研發(fā)新產(chǎn)品有很大幫助。
  
  3、成本更低,可兼容直流跟射頻測(cè)試的運(yùn)用:與傳統(tǒng)探針臺(tái)相比,高低溫探針臺(tái)采用先進(jìn)的合成材料,成本方面比傳統(tǒng)探針臺(tái)更低,但是功能性都更加強(qiáng)大。
  
  使用范圍:
  高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試,資料測(cè)試,霍爾測(cè)試,電磁輸運(yùn)特性等。